昭和61年 9月　高橋　奏氏の全額出資（資本金 10, 000,000円）により、半導体デバイス試験装置の研究開発・設計・製造・販売会社として発足。
インダクタンス負荷試験器（1kV, 20A）を完成。
昭和62年 2月営業事務所として東京事務所を開設。
半導体の接合部残留時間測定器を完成。
昭和62年 9月過渡熱抵抗試験器（200V, 40A）を完成。
昭和63年 2月資本金を3,000万円に増額。
昭和63年 5月テクニカルセンターを新設。
平成 1年11月海外出荷の開始。
平成2年 1月本社を鹿角市十和田に新築、移転。
平成2年 4月テクニカルセンターの調整、検査、資材部門を本社に移転。
破壊モードとして知られていなかったdi/dt破壊試験器を完成し、照明機器メーカに納入。以後、半導体不良による不良はゼロとなる。
平成2年 9月携帯電話用出力段デバイスであるGaAs FET用過渡熱抵抗特性解析システムを完成。
平成3年 9月社員住宅「ラミュール」完成。
平成4年 5月本社工場技術棟完成。
平成5年 1月半導体逆サージ耐量試験器（500V, 50A）を完成。
平成6年 1月増産用高精度レギュレータテストシステムを完成。
平成6年 2月電力用デバイス増産用半導体DCパラメータテスターCATシリーズ（1kV, 20A）を完成。
平成6年 9月熱感知シャットダウン半導体試験システム（自動車用）を完成。
平成7年 5月SEMICON Test, Assembly & Packaging 95出展。（5月2日〜4日：シンガポール）
平成7年 9月IPM、IGBT開発用テストシステムを完成。
平成7年11月営業事務所を埼玉県所沢市から宮城県仙台市に移転し、仙台事務所を開設。
平成7～8年IT用としてのGaAs FET増産用過渡熱抵抗検査器を完成。
平成8年 4月SEMICON Test, Assembly & Packaging 96出展｡(4月24日〜26日:シンガポール)
平成8年 9月設立十周年を迎える。
平成8年10月CD読み取り用レーザーダイオードの過渡熱抵抗測定器を完成。
平成9年 5月SEMICON Test, Assembly & Packaging 97出展。（5月6日〜8日：シンガポール）
平成9年 6月自動機の開発部門として仙台事務所に装置開発課を新設。
平成9年 7月DCパラメータ熱抵抗インダクタンスの3つの特性を同一ステーションで可能にし、且つ3ステーションで同時測定をも可能にした統合半導体試験システムを完成。
平成9年 11月小電力デバイス増産用半導体DCテスターCCTシリーズを完成。
平成10年11月インダクタンススイッチング特性試験システムを完成。
大電力用半導体特性試験システム（3kV, 400A）を完成。
平成10年12月フォトモスリレーテストシステムを完成。
半導体動特性評価用システム（1200V, 50A）を完成。
平成11年 1月半導体動特性試験システム（600V, 100A）を完成。
平成11年 3月自動車用デバイスIPSの増産用テストシステムを完成。
平成11年 6月業務拡大により、仙台事務所を同市内に移転。
平成11年 8月本社工場技術棟を増設。
新幹線用のIGBTテストシステムとして、最大4000A, 110kWの過渡熱抵抗テストシステムを完成。
平成11年 11月中部・北陸・近畿地方への販売、メンテナンス等を考慮し、長野県伊那市にテクニカルオフィスを新設。
平成11年 12月資本金を5,900万円に増額。
平成12年 2月自動機の業務拡大に伴い、東京都東村山市に東京オフィスを新設。
平成12年 7月耐熱材用の材料熱特性試験システムを完成。
IC過渡熱抵抗測定器を完成。
フォトモスFET用ハンドラーを完成。
平成13年 1月IPMテストシステム（3kV, 1000A）を完成。　　　　
平成13年 2月　　IPMスイッチングテストシステムを完成。
平成13年 4月　　宇宙開発用（ロケット用）IGBTデバイスの実働熱特性解析システムを完成。
平成13年 6月IPMテストシステム（2kV, 1000A）を完成。
平成13年 8月IFSMテスター（1500A）を完成。
平成14年 2月環境試験データ蓄積システムを完成。
di/dtテストシステム（400V, 50A）を完成。　　　　　
平成14年 9月di/dtテストとL負荷テスト兼用機（300V, 30A）を完成。
平成14年 12月デュアルMOS-FET用過渡熱抵抗測定器を完成。
平成15年 3月スイッチングテストシステム及び負荷抵抗自動搬送機を完成。
LED過渡熱抵抗測定器を完成。
di/dtテストシステム（1kV, 50A）を完成。　　　　　
平成15年 5月仙台事務所にサービス技術課を新設。
平成15年 9月スイッチングテスター及び自動負荷抵抗搬送機を完成。
平成15年11月パッケージ評価用熱抵抗テストシステムを完成。
平成16年 1月ウェハチップ用ハンドラーを完成。
フォトモスFET用高温ハンドラーを完成。　　　　　　　　　
平成16年 5月IGBTテストシステム（2kV, 100A）を完成。
平成16年 8月高速サージ破壊試験装置（30kV）を完成。
自動車用パワーデバイス熱抵抗テストシステム（2400A）を完成。
平成16年 11月TO-220デバイス用リード成形機を完成。
平成17年 1月自動車用パワーデバイス短絡試験システムを完成。　　　　　　　　
平成17年 9月波形テスター（3kV）を完成。
平成17年 10月QGテスター（500V, 200A）を完成。
平成17年 11月IPMテストシステム（3kV, 3000A）を完成。
平成17年 12月di/dtテストシステム（400V, 100A）を完成。
半導体動特性テストシステムを完成。
平成18年 1月東京オフィスを閉鎖し、仙台事務所と統合。
スイッチングテスターにQG測定機能をプラスした動特性テストシステムを完成。
平成18年 3月3軸加速度センサーテストシステムを完成。
平成18年 4月IGBTパルス試験器を完成。
平成18年 5月SEMICONのHIBEXのブースに出展。（5月9日〜11日：シンガポール）
平成18年 9月設立二十周年を迎える。
平成18年 10月統合テストシステム（TLVSシリーズ）ニューモデル完成。
平成18年 12月IGBTテストシステム（3.3kV, 800A）を完成。
テクニカルオフィスを伊那市伊那部へ移転、長野事業所とする。
平成20年 1月大型機開発のため鹿角市花輪に技術開発センターを新設。
平成20年 2月IGBTテストシステム（7.5kV, 300A）を完成。　　　　　
平成20年 3月半導体動特性テストシステム（1.2kV, 300A）を完成。
平成20年 6月インターネプコン展示会へ出展。（6月3日~6日：マレーシア）
短絡テスター（600V, 2000A）を完成。
平成20年 11月VFRテスター（500V, 100A）を完成。
IFSMテスター（9.9V, 1000A）を完成。
平成20年 12月アバランチェテスター（150V, 600A）を完成。
平成21年 1月短絡テスター（1kV, 1000A）を完成。　　　　
平成21年 9月静電気破壊試験システムを完成。
平成22年 1月スーパージャンクションMOS-FET用Coss測定器を完成。　　　　　　　　
平成22年 2月GaN用静特性試験システム（2kV, 500A）を完成。
平成22年 7月高電圧用過渡熱抵抗測定器（2kV, 50A）を完成。
平成22年 9月L負荷SWテスター（800V, 600A）を完成。
カーブトレーサー用ヒートアップ治具を完成。
平成23年 2月　　プローブピン試験システムを完成。
平成23年 3月低圧大電流用熱抵抗試験システム（200V, 200A）を完成。
平成23年 4月モジュール用ハンドラー及びテストシステムを完成。
平成23年 9月DC測定用5000Aユニットを完成。
平成24年 4月DC/DV一体型テスター（1kV, 300A）を完成。
平成24年 6月圧接素子用動特性試験システム（4.5kV, 4000A）を完成。
平成24年 9月半導体動特性テストシステム（1.2kV, 4000A）を完成。
平成24年 12月IGBTテストシステム（3kV, 2000A）を完成。
平成25年 2月車載モーター用モジュールテストシステム（1.5kV, 600A）を完成。
平成25年 3月ウェハー用テストシステム（2kV, 200A）を完成。
平成25年 4月IPMテストシステム（7.5kV, 5000A）を完成。
平成25年 7月熱抵抗テストシステム（1kV,100A）を完成。
平成26年 2月静特性10KV/1000A、高温特性評価システムを完成。　　　　
平成26年 9月大電力動特性評価システム（2kV, 1500A(短絡=5000A)）を完成。
平成26年11月汎用HEV制御基板評価システムを完成。
平成27年 1月転流時臨界オフ電圧上昇試験システム（800V, 100A）を完成。
平成27年 6月大電流IFSM試験システム（単発4000A、繰り返し3000A）を完成。
平成28年9月高電圧容量測定システム（2kV）を完成。
平成28年12月ウェハー用動特性/静特性一体型評価システムを完成。
平成29年 2月臨界オン電流上昇率試験システム（1200V, 500A）を完成。　　　　　　　　　　　
平成29年 4月スイッチングタイムテストシステム（1.5kV, 1000A, 短絡3000A）を完成。
平成29年 7月PRSMテストシステムを完成。
MOS-FET ASO試験器を完成。
平成30年 3月熱抵抗テストシステム（2kV, 2000A）を完成。
平成30年 6月バーンインテストシステムを完成。
令和1年 3月IGBTテストシステム（7.5kV, 2000A）を完成。　
令和1年 4月生産用DCおよび熱抵抗パラレルテスター完成。
令和1年 8月高電圧容量測定システム（3kV）を完成。
令和1年 9月IGBT静特性4パラレルテストシステムを完成。
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